Добро пожаловать в Components-House.com
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > IPSH6N03LA G
Infineon Technologies

IPSH6N03LA G

Номер детали производителя IPSH6N03LA G
производитель Infineon Technologies
Подробное описание MOSFET N-CH 25V 50A TO251-3
Упаковка PG-TO251-3-11
В наличии 4709 pcs
Техническая спецификация IPD(F,S,U)H6N03LA GPart Number GuideMultiple Devices 04/Jun/2009
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Infineon Technologies.У нас есть кусочки 4709 Infineon Technologies IPSH6N03LA G в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 2V @ 30µA
Vgs (макс.) ±20V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства PG-TO251-3-11
Серии OptiMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.2mOhm @ 50A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 71W (Tc)
Упаковка / TO-251-3 Stub Leads, IPak
Упаковка Tube
Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Through Hole
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 2390 pF @ 15 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 19 nC @ 5 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 25 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 50A (Tc)
Базовый номер продукта IPSH6N

Рекомендуемые продукты

IPSH6N03LA G DataSheet PDF

Техническая спецификация